LP801 Liknande

  • LP802
    • 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
  • LP801
    • 15 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor

LP801 Datasheet och Spec

Tillverkare : Polyfet RF 

Packing :  

Pins : 2 

Temperature : Min -65 °C | Max 150 °C

Storlek : 38 KB

Ansökan : 15 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor 

LP801 PDF Ladda ner