LX802 Liknande

  • LX802
    • 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
  • LX803
    • 45 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor

LX802 Datasheet och Spec

Tillverkare : Polyfet RF 

Packing :  

Pins : 2 

Temperature : Min -65 °C | Max 150 °C

Storlek : 40 KB

Ansökan : 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor 

LX802 PDF Ladda ner