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MTB33N10E specification: TMOS E-FET high energy power FET
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MTB33N10E specification: TMOS E-FET high energy power FET
Tillverkare : Motorola
Packing : DPAK
Pins : 4
Temperature : Min -55 °C | Max 150 °C
Storlek : 292 KB
Ansökan : TMOS E-FET high energy power FET